所屬企業(yè)：華潤（集團(tuán)）有限公司 發(fā)布時間：2026-01-06
一、成果簡介
本產(chǎn)品由無錫華潤上華科技有限公司開發(fā)，集成21項(xiàng)專利成果，榮獲江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎，已累計(jì)產(chǎn)出晶圓200余片，應(yīng)用于大功率IC、汽車BMS、馬達(dá)驅(qū)動等市場。
二、主要指標(biāo)
（一）深槽刻蝕深度≥20μm；
（二）深槽填充：封口位置位于襯底表面以下；
（三）深槽隔離耐壓≥200V；
（四）100V N型橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管擊穿電壓≥130V；
（五）100V N型橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管導(dǎo)通電阻≤180Ω/mm2；
（六）ESD HBM≥4000V；
（七）工藝可靠性：通過AEC Q-100 G1(-40～125℃)。
三、聯(lián)系方式
林 峰，15052290939，linfeng@csmc.crmicro.com
【責(zé)任編輯：孫華宇】