所屬企業：中國電子信息產業集團有限公司 發布時間：2026-01-06
一、成果簡介
本產品由上海積塔半導體有限公司開發，集成56項專利成果，榮獲中國電子學會科技進步獎二等獎、中國電子集團科技進步獎一等獎，并通過車規級IATF 16949體系認證，具有高密度溝槽、高能氫注入場終止等高性能車規IGBT工藝能力，累計出貨67萬片，已應用于比亞迪等國內主流新能源汽車廠商。
二、主要指標
（一）電壓范圍：650～1700V；
（二）溝槽密度（Pitch）：1.2μm（對標英飛凌第七代工藝）。
三、聯系方式
劉慧娟，18129449100，huijuan_liu@gtasemi.com.cn
【責任編輯：孫華宇】