所屬企業(yè)：中國電子科技集團有限公司 發(fā)布時間：2026-01-05
一、成果簡介
本產(chǎn)品由中電科半導體材料有限公司開發(fā)，是用于制備高溫、高頻、大功率、高壓器件的第三代半導體材料。產(chǎn)品突破了碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)瓶頸，集成了33項專利成果，獲得3項國家級和省級科學技術(shù)獎。目前6英寸產(chǎn)品已實現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品已通過國內(nèi)外頭部芯片廠家和下游企業(yè)的應(yīng)用驗證，并對部分企業(yè)穩(wěn)定供貨。
二、主要指標
（一）6英寸半絕緣襯底電阻率≥1E10Ω·cm；
（二）6英寸N型襯底微管密度＜0.05cm-2；
（三）8英寸襯底微管密度＜0.5cm-2；
（四）中高壓外延層濃度均勻性＜5%；
（五）6500V以上外延層濃度均勻性＜10%；
（六）8英寸外延層濃度均勻性＜5%。
三、聯(lián)系方式
王學軍，15343406555，cetcwxj@163.com
【責任編輯：孫華宇】