文章來(lái)源：中國(guó)中車(chē)集團(tuán)有限公司 發(fā)布時(shí)間：2021-05-21
20．高壓IGBT
【所屬領(lǐng)域】核心電子元器件
【中央企業(yè)名稱】中國(guó)中車(chē)集團(tuán)有限公司
【技術(shù)產(chǎn)品簡(jiǎn)介】高壓IGBT器件技術(shù)門(mén)檻非常高，以毫米間距承受數(shù)千伏電壓，以亞微米精細(xì)結(jié)構(gòu)承受數(shù)千安培電流，以焦耳級(jí)功耗控制兆瓦級(jí)功率，批量應(yīng)用于電力機(jī)車(chē)、高速動(dòng)車(chē)組、地鐵等軌道交通領(lǐng)域，以及大功率變頻器裝置。覆蓋了1700V-6500V的電壓等級(jí)和500A-1800A的電流輸出能力。芯片采用第四代DMOS＋技術(shù)，具備低導(dǎo)通壓降、軟開(kāi)關(guān)特性、裕量大等特性。模塊采用AlSiC基板、AlN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn)，滿足車(chē)輛頻繁啟動(dòng)和長(zhǎng)距離可靠性運(yùn)行要求。
【產(chǎn)品圖片】
【技術(shù)指標(biāo)】
1．Vce—導(dǎo)通壓降典型值：3300VIGBT產(chǎn)品:3.1V@1500A 6500V IGBT產(chǎn)品:3.3V@750A
2．功率循環(huán)能力—功率循環(huán)能力：≥30萬(wàn)次, △Tj=80℃
3．溫度循環(huán)能力—溫度循環(huán)能力：≥20000次；Tj=150℃
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