1200V SiC MOSFET器件
文章來源：中國電子科技集團有限公司 發布時間：2021-05-21
6．1200V SiC MOSFET器件
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】中國電子科技集團有限公司
【技術產品簡介】1200V SiC MOSFET系列產品導通電阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等，聚焦于光伏逆變器、充電樁、開關電源、UPS、電機驅動器、儲能、車載電源、汽車DC-DC等應用，在軍用武器裝備系統、導彈、火箭電氣設備系統等也有廣泛應用。
芯片工藝技術上，基于自主6英寸晶圓線，采用已經得到廣泛應用驗證的Planner工藝，滿足應用魯棒性要求，器件可靠、強固。55所是國內首家實現SiC MOSFET產品研制和批量生產的企業，達到國內外廣泛應用的主流SiC MOSFET技術水平，填補了國內空白。采用SiC MOSFET器件的電路，通過提升開關頻率，將顯著無源器件、散熱器的體積和數量，從而減少物料單(BOM)成分以及增加功率密度。
【產品圖片】
圖1 SiC MOSFET晶圓
圖2 SiC MOSFET封裝器件
圖3 SiC MOSFET應用
【技術指標】
1．擊穿電壓—器件阻斷狀態下能夠承受的最大電壓：1200V
2．閾值電壓—柵壓大于閾值電壓器件開通，低于閾值電壓器件關斷：2.6V
3．導通電阻—工作柵壓下，器件達到額定電流時的導通電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
聯系人：楊勇 聯系電話：13770681275
【責任編輯：家正】
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