3300V IGBT芯片和模塊
文章來源：國家電網有限公司 發布時間：2021-05-21
8．3300V IGBT芯片和模塊
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】產品為高壓大功率IGBT芯片/模塊系列化產品，IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，在智能電網、新能源發電、軌道交通、電動汽車、消費類電子、工業控制、國防軍工等領域應用極為廣泛。高壓IGBT將主要用于靈活交流輸電、高壓直流斷路器、柔性直流輸電等產品。
通過產品的規模產業化，打破國外壟斷，實現高壓IGBT器件在智能電網的國產化替代，推動經濟社會發展，保障電網安全。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖3 IGBT 模塊
圖4 柔直應用
【技術指標】
1．閾值電壓Vth(V)—器件開始導通的門極電壓：5～7V
2．集電極-發射極飽和電壓Vce(sat)（V）—器件的導通壓降：3.7V
3．集電極-發射極漏電流最大值Ices（mA）—器件的漏電流：40mA
4．開通損耗Eon（mJ）-器件的開通損耗：4.5J
5．關斷損耗Eoff（mJ）—器件的關斷損耗：2.2J
聯系人：駱健 聯系電話：13851711976
【責任編輯：家正】
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